La estructura vertical permite simultáneamente alta corriente y voltaje con resistencia reducida y menor degradación del rendimiento de los estados de superficie e interfaz, en comparación con dispositivos laterales más convencionales. El progres

El equipo utilizó una tasa de crecimiento reducida para mejorar la capa de deriva de GaN. Los investigadores ven la técnica como una ruta a alto rendimiento vertical GaN SBDs con baja pérdida de conducción y alta velocidad de conmutación adecuad