Fabrican el transistor más pequeño jamás logrado
1 nanómetro de espesor, 5 veces menos que los actuales
Ingenieros de EE.UU. han conseguido llevar un poco más lejos los límites de la electrónica, usando disulfuro de molibdeno en lugar de silicio para fabricar un transistor con una puerta de 1 nanómetro, en lugar de los 5 de los dispositivos actuale