Un grupo científico compuesto por investigadores alemanes y estadounidenses logró materializar un transistor a base de Silicio-Germanio (SiGe) capaz de registrar una frecuencia de 798 GHz, algo no antes visto en transistores de Silicio.

Una nueva unidad lógica a base de Silicio-Germanio desarrollado por científicos alemanes y estadounidenses, registró una operatividad de 798 GHz, algo no conseguido por otros transistores a base de Silicio.