El logro, fruto del trabajo de científicos en el Centro de Nanotecnología de Londres, adscrito al University College de Londres, demuestra la viabilidad de diseñar y generar estados cuánticos a escala atómica sobre la superficie del silicio, un

Introduciendo "defectos" (átomos particulares de silicio) mediante el uso de microscopía de Efecto Túnel (STM), se ha logrado conectar átomos individuales para formar estados cuánticos.